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HSU276TRF

更新时间: 2024-02-09 09:50:11
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瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
2页 51K
描述
SILICON, MIXER DIODE

HSU276TRF 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.26
配置:SINGLE最大二极管电容:0.85 pF
二极管元件材料:SILICON二极管类型:MIXER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

HSU276TRF 数据手册

 浏览型号HSU276TRF的Datasheet PDF文件第2页 

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