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HSU276TRV

更新时间: 2024-01-10 09:14:22
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 肖特基二极管微波混频二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 61K
描述
SILICON, MIXER DIODE

HSU276TRV 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.60风险等级:5.29
Is Samacsys:N配置:SINGLE
最大二极管电容:0.85 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:MIXER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HSU276TRV 数据手册

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HSU276  
Silicon Schottky Barrier Diode for Detector and Mixer  
REJ03G0141-0700Z  
(Previous: ADE-208-078F)  
Rev.7.00  
Nov.10.2003  
Features  
High forward current, Low capacitance.  
Ultra small Resin Package (URP) is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.  
Ordering Information  
Type No.  
Laser Mark  
Package Code  
HSU276  
3
URP  
Pin Arrangement  
Cathode mark  
Mark  
1
2
1. Cathode  
2. Anode  
Rev.7.00, Nov.10.2003, page 1 of 4  

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