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HSU276-E

更新时间: 2024-01-05 15:43:38
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS ISM频段光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 57K
描述
SILICON, MIXER DIODE, ULTRA SMALL, URP, 2 PIN

HSU276-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:ULTRA SMALL, URP, 2 PIN
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.60
风险等级:5.73配置:SINGLE
最大二极管电容:0.85 pF二极管元件材料:SILICON
二极管类型:MIXER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G2
JESD-609代码:e6湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:125 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:20
Base Number Matches:1

HSU276-E 数据手册

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HSU276  
Silicon Schottky Barrier Diode for Detector and Mixer  
REJ03G0141-0700Z  
(Previous: ADE-208-078F)  
Rev.7.00  
Nov.10.2003  
Features  
High forward current, Low capacitance.  
Ultra small Resin Package (URP) is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.  
Ordering Information  
Type No.  
Laser Mark  
Package Code  
HSU276  
3
URP  
Pin Arrangement  
Cathode mark  
Mark  
1
2
1. Cathode  
2. Anode  
Rev.7.00, Nov.10.2003, page 1 of 4  

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