HSU276

更新时间： 2024-02-23 06:44:14

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日立 - HITACHI		肖特基二极管微波混频二极管光电二极管
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描述
Silicon Schottky Barrier Diode for Mixer

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HSU276 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.60	风险等级：	5.29
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最大二极管电容：	0.85 pF	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	MIXER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

HSU276 数据手册

HSU276

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

Value

Unit

Reverse voltage

V_R

Average rectified current I_O

°C

Junction temperature

Storage temperature

125

Tstg

–55 to +125

°C

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol Min

Typ Max Unit Test Condition

Reverse voltage

Reverse current

Forward current

Capacitance

ESD-Capability^*1

V_R

I_R

—

I_R= 1 mA

V_R= 0.5V

V_F= 0.5V

—

µA

I_F

0.85 pF

V_R= 0.5V, f = 1 MHz

—

C = 200pF , Both forward and reverse

direction 1 pulse.

Note: 1. Failure criterion ; I_R≥ 100µA at V_R= 0.5 V

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