HSM124S

更新时间： 2024-02-25 18:53:11

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日立 - HITACHI		整流二极管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	29K
描述
Silicon Epitaxial Planar Diode for Switching

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HSM124S 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.71
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	最大非重复峰值正向电流：	4 A
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大反向电流：	0.01 µA	最大反向恢复时间：	0.1 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL

HSM124S

10^–1

10^–2

10^–3

10^–4

10^–5

10^–6

10^–7

10^–8

0.6

0.8

0.2

0.4

1.0

Forward voltage V_F(V)

Fig.1 Forward current Vs. Forward voltage

10^–8

10^–9

10^–10

10^–11

–12

Reverse voltage V_R(V)

100

Fig.2 Reverse current Vs. Reverse voltage

1 234 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HSM124STL	RENESAS	获取价格	0.1A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
HSM124STL-E	RENESAS	获取价格	0.1A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
HSM124STR	RENESAS	获取价格	暂无描述
HSM125WK	ETC	获取价格
HSM126S	RENESAS	获取价格	Silicon Schottky Barrier Diode for System Protection
HSM126S	HITACHI	获取价格	Silicon Schottky Barrier Diode for System Protection
HSM126S-E	RENESAS	获取价格	UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, MPAK-3
HSM126STL	RENESAS	获取价格	UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
HSM126STL-E	RENESAS	获取价格	暂无描述
HSM126STR	HITACHI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 2 Element, Silicon