HSM126S

更新时间： 2024-02-24 03:46:45

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日立 - HITACHI		瞬态抑制器肖特基二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	32K
描述
Silicon Schottky Barrier Diode for System Protection

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HSM126S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.5
Is Samacsys：	N	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性：	UNIDIRECTIONAL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

HSM126S

Silicon Schottky Barrier Diode for System Protection

ADE-208-111C (Z)

Rev. 3

May 1995

Features

•

HSM126S which is connected in series configuration enable to protect electric systems from miss-

operation against external + and – surge.

•

Low V_Fand low leakage current.

MPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.

Ordering Information

Type No.

Laser Mark

S14

Package Code

HSM126S

MPAK

Pin Arrangement

(Top View)

Cathode 2

Anode 1

Cathode 1

Anode 2

12 3 4 5 6

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
HSM126STL-E	RENESAS	功能相似	暂无描述
HSM126S-E	RENESAS	功能相似	UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, MPAK-3
HSM126S	RENESAS	功能相似	Silicon Schottky Barrier Diode for System Protection

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HSM126S-E	RENESAS	获取价格	UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, MPAK-3
HSM126STL	RENESAS	获取价格	UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
HSM126STL-E	RENESAS	获取价格	暂无描述
HSM126STR	HITACHI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, Unidirectional, 2 Element, Silicon
HSM126STR	RENESAS	获取价格	UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
HSM12DRAH	ETC	获取价格	CONN EDGE DUAL FMALE 24POS 0.156
HSM12DRAI	ETC	获取价格	CONN EDGE DUAL FMALE 24POS 0.156
HSM12DRAN	ETC	获取价格	CONN EDGE DUAL FMALE 24POS 0.156
HSM12DRAS	ETC	获取价格	CONN EDGE DUAL FMALE 24POS 0.156
HSM12DREF	ETC	获取价格	CONN EDGE DUAL FMALE 24POS 0.156