HSM126STR

更新时间： 2024-01-29 07:51:53

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瑞萨 - RENESAS		肖特基二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	59K
描述
UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE

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HSM126STR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.5
Is Samacsys：	N	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	2
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性：	UNIDIRECTIONAL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	技术：	AVALANCHE
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

HSM126S

Silicon Schottky Barrier Diode for System Protection

REJ03G0174-0400Z

(Previous: ADE-208-111C)

Rev.4.00

Jan.28.2004

Features

•

HSM126S which is connected in series configuration enable to protect electric systems from miss-

operation against external + and – surge.

•

Low V_Fand low leakage current.

MPAK Package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.

Ordering Information

Type No.

Laser Mark

Package Code

HSM126S

S14

MPAK

Pin Arrangement

1. Cathode 2

2. Anode 1

3. Cathode 1

Anode 2

(Top View)

Rev.4.00, Jan.28.2004, page 1 of 5

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