HSM124S

更新时间： 2024-02-02 08:40:13

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日立 - HITACHI		整流二极管开关光电二极管
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6页	29K
描述
Silicon Epitaxial Planar Diode for Switching

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HSM124S 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.71
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.2 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	最大非重复峰值正向电流：	4 A
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	认证状态：	Not Qualified
最大反向电流：	0.01 µA	最大反向恢复时间：	0.1 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL

HSM124S 数据手册

HSM124S

Absolute Maximum Ratings*²(Ta = 25°C)

Item

Symbol

Value

Unit

Peak reverse voltage

Reverse voltage

V_RM

V_R

I_FM

I_FSM

I_O

Peak forward current

Non-Repetitive peak forward surge current

Average forward current

Junction temperature

Storage temperature

300

100

°C

125

Tstg

–55 to +125

Notes: 1. Within 1µs forward surge current.

2. Per one device

Electrical Characteristics* (Ta = 25°C)

Item

Symbol Min

Typ

—

Max

1.0

Unit

Test Condition

I_F= 10mA

Forward voltage

V_F1

V_F2

V_F3

I_R

—

1.0

I_F= 50mA

—

1.2

I_F= 100mA

Reverse current

Capacitance

—

0.01

4.0

µA

V_R= 80V

—

V_R= 0V, f = 1MHz

Reverse recovery time t_rr

Note: Per one device

—

100

I_F= 10mA, V_R= 6V, R_L= 50Ω

123 4 5 6

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