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HSD32M64F8V-F10

更新时间： 2024-02-09 04:33:20
品牌 Logo 应用领域
HANBIT 存储动态存储器
页数 文件大小 规格书
11页 89K
描述
Synchronous DRAM Module, 256Mbyte ( 32M x 64-Bit ) SMM based on 32Mx8, 4Banks, 8K Ref., 3.3V

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HSD32M64F8V-F10 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.75
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

HSD32M64F8V-F10 数据手册

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HANBit  
HSD32M64F8V/VA  
Synchronous DRAM Module, 256Mbyte ( 32M x 64-Bit ) SMM based  
on 32Mx8, 4Banks, 8K Ref., 3.3V  
Part No. HSD32M64F8V/VA  
GENERAL DESCRIPTION  
The HSD32M64F8V/VA is a 32M x 64 bit Synchronous Dynamic RAM high density memory module. The module  
consists of eight CMOS 8M x 8 bit with 4banks Synchronous DRAMs in TSOP-II packages is mounted on a 120-pin,  
double-sided, FR-4-printed circuit board., Two 0.1uF decoupling capacitors are mounted on the printed circuit board in  
parallel for each SDRAM. The HSD32M64F8V/VA is a SMM (Stackable Memory Module) designed and is intended for  
mounting into two 60-pin connector sockets. Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock.  
I/O transactions are possible on every clock cycle. Range of operating frequencies, programmable latencies allows the  
same device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory system applications All module  
components may be powered from a single 3.3V DC power supply and all inputs and outputs are LVTTL-compatible.  
PIN ASSIGNMENT  
FEATURES  
• Part Identification  
60-PIN P1 Connector  
60-PIN P2 Connector  
PIN Symbol PIN Symbol PIN  
Symbol  
PIN  
Symbol  
HSD32M64F8V :  
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DQ44  
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DQ46  
DQ47  
Vcc  
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NC  
NC  
/CE2  
NC  
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CLK0  
CLK1  
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/RAS  
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Vss  
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NC  
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A10/AP  
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DQ54  
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Vcc  
DQ56  
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DQ60  
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DQ62  
DQ63  
Vcc  
DQM6  
DQM7  
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A6  
A5  
Stacking Height ( T = 11.3mm )  
HSD32M64F8VA :  
Stacking Height ( T = 7.3mm )  
• Burst mode operation  
• Auto & self refresh capability (8192 Cycles/64ms)  
• LVTTL compatible inputs and outputs  
• Single 3.3V ±0.3V power supply  
• MRS cycle with address key programs  
- Latency (Access from column address)  
- Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page)  
- Data scramble (Sequential & Interleave)  
• All inputs are sampled at the positive going edge  
of the system clock  
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• 120pin-SMM type FR4-PCB design  
• The used device is 32Mx8bit SRAM  
• Pin assignment is compatible with  
- HSD8M64F8V  
- HSD16M64F8V  
28  
29  
30  
A4  
Vcc  
Vss  
Vss  
Stackable Memory Module TOP VIEW  
URL:www.hbe.co.kr  
REV.1.0 (August.2002)  
HANBit Electronics Co.,Ltd.  
1
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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