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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-F2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.60 | 风险等级： | 5.27 |
| 配置： | SINGLE | 最大二极管电容： | 0.85 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | MIXER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HSC276_03 | RENESAS |
获取价格 |
HSC276_03 |
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| HSC276A | HITACHI |
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Silicon Schottky Barrier Diode for Mixer |
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| HSC276A | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for Mixer |
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| HSC276KRF | HITACHI |
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暂无描述 |
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| HSC276KRU | HITACHI |
获取价格 |
Mixer Diode, Silicon |
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| HSC276KRV | HITACHI |
获取价格 |
Mixer Diode, Silicon |
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| HSC276KRV | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
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| HSC276TRU | HITACHI |
获取价格 |
Mixer Diode, Silicon |
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| HSC276TRV | RENESAS |
获取价格 |
SILICON, MIXER DIODE |
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| HSC277 | HITACHI |
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Silicon Epitaxial Planar Diode for UHF/VHF tuner Band Switch |
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