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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PDSO-F2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.60 | 风险等级： | 5.27 |
| 配置： | SINGLE | 最大二极管电容： | 0.85 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | MIXER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HSC277 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Diode for UHF/VHF tuner Band Switch |
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| HSC277 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Diode for UHF/VHF tuner Band Switch |
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| HSC277UFP | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| HSC278 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for Detector |
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| HSC278 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode |
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| HSC278TRF-E | RENESAS |
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0.03 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, LEAD FREE, ULTRA SMALL, SC-79, UFP-2 |
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| HSC285 | RENESAS |
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SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE FOR HIGH FREQUENCY DETECTION |
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| HSC285_06 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for Detector |
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| HSC285-E | RENESAS |
获取价格 |
SILICON, HF BAND, MIXER DIODE, ULTRA SMALL, SC-79, UFP-2 |
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| HSC285TRF-E | RENESAS |
获取价格 |
SILICON, HF BAND, MIXER DIODE, ROHS COMPLIANT, UFP, SC-79, 2 PIN |
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