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HSB226YP

更新时间: 2024-01-26 12:34:21
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日立 - HITACHI 肖特基二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 26K
描述
Silicon Schottky Barrier Diode

HSB226YP 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-82
包装说明:SC-82, CMPAK-4针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.57
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.33 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G4元件数量:2
端子数量:4最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:0.05 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:25 V最大反向电流:0.45 µA
反向测试电压:20 V子类别:Other Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HSB226YP 数据手册

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HSB226YP  
Silicon Schottky Barrier Diode  
ADE-208-842(Z)  
Rev. 0  
Mar. 2000  
Features  
Low reverse current, Low capacitance.  
CMPAK-4 Package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.  
Ordering Information  
Type No.  
Laser Mark  
Package Code  
HSB226YP  
E5  
CMPAK-4  
Outline  
3
2
4
1
(Top View)  
1
2
3
4
Anode  
Anode  
Cathode  
Cathode  

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