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HSB226WK

更新时间: 2024-01-18 04:25:51
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瑞萨 - RENESAS 肖特基二极管开关
页数 文件大小 规格书
5页 64K
描述
Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching

HSB226WK 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-82
包装说明:SC-82, CMPAK-4针数:4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.57
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.33 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G4元件数量:2
端子数量:4最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:0.05 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:25 V最大反向电流:0.45 µA
反向测试电压:20 V子类别:Other Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HSB226WK 数据手册

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HSB226WK  
Silicon Schottky Barrier Diode for High Speed Switching  
REJ03G0592-0200  
Rev.2.00  
Sep 15, 2006  
Features  
Low reverse current, Low capacitance.  
CMPAK package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.  
Ordering Information  
Type No.  
Laser Mark  
Package Name  
Package Code  
HSB226WK  
E6  
CMPAK  
PTSP0003ZB-A  
Pin Arrangement  
3
1. Anode  
2. Anode  
3. Cathode  
2
1
(Top View)  
Rev.2.00 Sep 15, 2006 page 1 of 4  

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