生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 210 ns | 其他特性: | ADDRESS LATCH |
JESD-30 代码: | R-CDFP-F18 | 内存密度: | 4096 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 1 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 18 | 字数: | 4096 words |
字数代码: | 4000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 4KX1 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | NO | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 认证状态: | Not Qualified |
最小待机电流: | 3 V | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HS9-6504RH-8 | ETC |
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x1 SRAM | |
HS9-6504RH-Q | RENESAS |
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HS9-6504RH-Q | |
HS9-6504RRH | RENESAS |
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4KX1 STANDARD SRAM, 210ns, CDFP18 | |
HS9-6508RH | RENESAS |
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Standard SRAM, 1KX1, 310ns, CMOS, CDFP16 | |
HS9-6514RH-Q | RENESAS |
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HS9-6514RH-Q | |
HS9-6514RRH-Q | RENESAS |
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HS9-6514RRH-Q | |
HS9-65643RH | RENESAS |
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64KX1 STANDARD SRAM, 50ns, CDFP24 | |
HS9-65643RH-8 | RENESAS |
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HS9-65643RH-8 | |
HS9-65643RHH-8 | RENESAS |
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IC,SRAM,64KX1,CMOS, RAD HARD,FP,24PIN,CERAMIC | |
HS9-65647RH | INTERSIL |
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Radiation Hardened 8K x 8 SOS CMOS Static RAM |