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HS9-6504RH

更新时间: 2024-10-02 21:20:11
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 双倍数据速率静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 394K
描述
4KX1 STANDARD SRAM, 210ns, CDFP18

HS9-6504RH 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:210 ns其他特性:ADDRESS LATCH
JESD-30 代码:R-CDFP-F18内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:18字数:4096 words
字数代码:4000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:4KX1输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最小待机电流:3 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:FLAT
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HS9-6504RH 数据手册

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