Datasheet > HRF-SW1030-TR

HRF-SW1030-TR

更新时间： 2024-11-19 19:46:31

品牌	Logo	应用领域
霍尼韦尔 - HONEYWELL		PC 射频微波
页数	文件大小	规格书
6页	194K
描述
SP6T, 0MHz Min, 2500MHz Max, 1 Func, 3.8dB Insertion Loss-Max, CMOS, 4 X 4 MM, ULTRA SMALL, VQFN, LPCC-24

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HRF-SW1030-TR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LCC24,.16SQ,20	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.31	1dB压缩点：	19 dBm
其他特性：	CMOS COMPATIBLE	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	最大输入功率 (CW)：	35.05 dBm
最大插入损耗：	3.8 dB	JESD-609代码：	e4
安装特点：	SURFACE MOUNT	功能数量：	1
端子数量：	24	准时：	0.02 µs
最大工作频率：	2500 MHz	最小工作频率：
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	LCC24,.16SQ,20
端口终止：	ABSORPTIVE	电源：	5 V
射频/微波设备类型：	SP6T	子类别：	RF/Microwave Switches
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	最大电压驻波比：	1.8
Base Number Matches：	1

HRF-SW1030-TR 数据手册

HRF-SW1030

Preliminary

SP6T Absorptive RF Switch

Features

xꢀ High Isolation Of > 40 dB @ 2 GHz

xꢀ Low Insertion Loss Of 1.9 dB @ 2 GHz

xꢀ DC To 2.5 GHz Operating Frequency

xꢀ Integrated CMOS Control Logic

xꢀ Integrated ESD Protection on Digital I/O

xꢀ Single Positive Supply Voltage

xꢀ Ultra Small LPCC^TMPackaging

xꢀ Impedance matched for 50 Ohm systems

Product Description

HRF-SW1030 in LPCC™ Package

The Honeywell HRF-SW1030 is a high performance

single pole six throw (SP6T) absorptive RF switch that

is ideal for use in wireless basestation and handset

applications that require minimum power and minimum

insertion loss.

The HRF-SW1030 is manufactured with Honeywell's

patented Silicon On Insulator (SOI) CMOS technology,

which provides the performance of GaAs with the

economy and integration capabilities of conventional

CMOS technology.

RF Electrical Specifications @ + 25^oC

Results @ Vdd = 5.0 +/- 10%, Vss = 0 unless otherwise stated, Z0 = 50 ohms

Parameter

Test Condition

Frequency

DC – 1.0 GHz

2.0 GHz

Minimum

Typical

Maximum

Units

Insertion Loss

1.7

2.0

2.5

3.0

2.1

2.5 GHz

2.7

Isolation

DC – 1.0 GHz

2.0 GHz

3.0 GHz

VSWR*

DC – 0.5 GHz

0.5 – 1.5 GHz

1.5 – 2.5 GHz

1.2:1

1.7:1

Ratio

1.8:1

1dB Compression

Input IP3

Input Power

Vss=Gnd

Vss= -3

1.0 GHz

dBm

Two-Tone Inputs Up To + 5 dBm

Vss= Gnd

2.0 GHz

>35

dBm

Vss= -3

Trise, Tfall*

Ton, Toff

10% To 90%

50% Cntl To 90%/10%Rf

In-Band

Transients

*By design

________________________________________________________________________________________________________

Web Site:

Email:

www.mysoiservices.com

Honeywell

Solid State Electronics Center

12001 State Highway 55

mysoiservices@honeywell.com

2002 1030W

Published November 2002 Page 1

Plymouth, Minnesota 55441-4799

1-800-323-8295

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与HRF-SW1030-TR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HRF-SW1031	HONEYWELL	获取价格	SP6T Absorptive RF Switch
HRF-SW1031-B	HONEYWELL	获取价格	SP6T Absorptive RF Switch
HRF-SW1031-E	HONEYWELL	获取价格	SP6T Absorptive RF Switch
HRF-SW1031-FL-TR	HONEYWELL	获取价格	Diversity Switch, 0MHz Min, 2500MHz Max, 3.6dB Insertion Loss-Max, VQFN-24
HRF-SW1031-TR	HONEYWELL	获取价格	SP6T Absorptive RF Switch
HRF-SW1040-B	HONEYWELL	获取价格	SP4T, 824MHz Min, 1990MHz Max, 1 Func, 13dB Insertion Loss-Max, CMOS, ULTRA SMALL, LPCC
HRF-TX1000-T	HONEYWELL	获取价格	Interface Circuit, DIE
HRFZ44N	FAIRCHILD	获取价格	49A, 55V, 0.022 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET
HRFZ44N	INTERSIL	获取价格	49A, 55V, 0.022 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET
HRG3216P-1000-B-T1	ETC	获取价格	RES SMD 100 OHM 0.1% 1W 1206

与HRF-SW1030-TR相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

23
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

15
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

45
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

45

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HRF-SW1030-TR

HRF-SW1030-TR 技术参数

HRF-SW1030-TR 数据手册

与HRF-SW1030-TR相关器件

与HRF-SW1030-TR相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HRF-SW1030-TR

HRF-SW1030-TR 技术参数

HRF-SW1030-TR 数据手册

与HRF-SW1030-TR相关器件

与HRF-SW1030-TR相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？