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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波开关> HRF-SW1000-B
HRF-SW1000-B PDF预览

HRF-SW1000-B

更新时间： 2024-11-02 03:42:43
品牌 Logo 应用领域
霍尼韦尔 - HONEYWELL 射频和微波开关射频开关微波开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 66K
描述
SPDT Absorptive RF Switch

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HRF-SW1000-B 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：LCC12,.12SQ,20
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
Is Samacsys：N1dB压缩点：21 dBm
其他特性：CMOS COMPATIBLE特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT最大输入功率 (CW)：35.05 dBm
最大插入损耗：2.2 dB最小隔离度：35 dB
安装特点：SURFACE MOUNT功能数量：1
端子数量：12准时：0.02 µs
最大工作频率：4000 MHz最小工作频率：
最高工作温度：85 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：LCC12,.12SQ,20端口终止：ABSORPTIVE
电源：5 V射频/微波设备类型：SPDT
子类别：RF/Microwave Switches表面贴装：YES
技术：CMOS最大电压驻波比：1.3
Base Number Matches：1

HRF-SW1000-B 数据手册

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HRF-SW1000  
SPDT Absorptive RF Switch  
Features  
•
•
•
•
•
•
•
•
High Isolation Of > 40 dB @ 2 GHz  
Low Insertion Loss Of 1.1dB @ 2 GHz  
DC To 4GHz Operating Frequency  
Integrated CMOS Control Logic  
Integrated ESD Protection on Digital I/O  
Single Positive Supply Voltage  
Ultra Small LPCCTM Packaging  
Impedance matched for 50 Ohm systems  
Product Description  
The Honeywell HRF-SW1000 is a high performance  
single pole double throw (SPDT) absorptive RF switch  
that is ideal for use in wireless basestation and handset  
applications that require minimum power and minimum  
insertion loss.  
HRF-SW1000 in LPCC™ Package  
The HRF-SW1000 is manufactured with Honeywell's  
patented Silicon On Insulator (SOI) CMOS technology,  
which provides the performance of GaAs with the  
economy and integration capabilities of conventional  
CMOS technology.  
RF Electrical Specifications @ + 25oC  
Results @ Vdd=5.0 =/- 10%, Vss = 0 unless otherwise stated, Z0=50 ohms  
Parameter  
Insertion Loss  
Test Condition  
Frequency  
DC – 0.5 GHz  
2.0 GHz  
Minimum  
Typical  
Maximum  
Units  
dB  
dB  
0.9  
1.1  
1.3  
1.2  
1.5  
1.7  
3.0 GHz  
dB  
Isolation  
DC – 0.5 GHz  
2.0 GHz  
3.0 GHz  
DC – 0.5 GHz  
2.0 GHz  
50  
40  
35  
53.5  
42.5  
39.0  
1.1:1  
1.2:1  
1.2:1  
dB  
dB  
dB  
Ratio  
Ratio  
Ratio  
VSWR*  
3.0 GHz  
1.3:1  
1dB Compression  
Input IP3  
Input Power  
Vss=Gnd  
Vss= -3  
1.0 GHz  
1.0 GHz  
21  
29  
dBm  
dBm  
Two-Tone Inputs Up To + 5 dBm  
Vss=Gnd  
2.0 GHz  
2.0 GHz  
35  
35  
10  
20  
10  
dBm  
dBm  
nS  
nS  
mV  
Vss= -3  
Trise, Tfall*  
Ton, Toff  
Transients  
10% To 90%  
50% Cntl To 90%/10%Rf  
In-Band  
*By design  
________________________________________________________________________________________________________  
Web Site:  
Email:  
www.mysoiservices.com  
mysoiservices@honeywell.com  
Honeywell  
Solid State Electronics Center  
12001 State Highway 55  
2002 1000W  
Published June 2002 Page 1  
Plymouth, Minnesota 55441-4799  
1-800-323-8295  
123456

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