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HPN2907A

更新时间： 2024-01-20 00:35:26

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HSMC		晶体晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	40K
描述
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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HPN2907A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM

HPN2907A 数据手册

Spec. No. : HE6105

Issued Date : 1992.09.09

Revised Date : 2002.04.15

Page No. : 2/4

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

Characteristics Curve

Saturation Voltage & Collector Current

Current Gain & Collector Current

10000

1000

100

1000

100

CE(sat)

@ I =10I

125^oC

25^oC

75^oC

25^oC

hFE @ V =10V

125^oC

0.1

Collector Current-I (mA)

100

1000

0.1

Collector Current-I (mA)

100

1000

Saturation Voltage & Collector Current

Capacitance & Reverse-Biased Voltage

10000

100

BE(sat)

@ I =10I

75^oC

1000

25^oC

Cob

125^oC

100

0.1

Collector Current-I (mA)

100

1000

0.1

100

Reverse Biased Voltage (V)

Cutoff Frequency & Collector Current

Safe Operating Area

1000

10000

1000

100

P =1ms

P =100ms

PT=1s

=20V

100

Collector Current (mA)

100

Forward Biased Voltage-Vce (V)

HPN2907A

HSMC Product Specification

123 4

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