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HN62422P

更新时间: 2024-11-14 19:55:07
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瑞萨 - RENESAS 可编程只读存储器有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 121K
描述
256KX8 MASK PROM, 150ns, PDIP40, PLASTIC, DIP-40

HN62422P 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:40
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.26
Is Samacsys:N最长访问时间:150 ns
备用内存宽度:16JESD-30 代码:R-PDIP-T40
长度:52.8 mm内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:MASK ROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:40
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

HN62422P 数据手册

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