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HN58X25256I

更新时间： 2024-02-27 09:37:20

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瑞萨 - RENESAS		存储可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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22页	182K
描述
Serial Peripheral Interface 128k EEPROM (16-kword 】 8-bit) 256k EEPROM (32-kword 】 8-bit) Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory

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HN58X25256I 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOP
包装说明：	0.150 INCH, 3.90 X 4.89 MM, 1.27 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.73
最大时钟频率 (fCLK)：	3 MHz	数据保留时间-最小值：	10
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
长度：	4.89 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP8,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.73 mm
串行总线类型：	SPI	最大待机电流：	0.000003 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.004 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	3.9 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	8 ms
写保护：	HARDWARE/SOFTWARE	Base Number Matches：	1

HN58X25256I 数据手册

HN58X25128I/HN58X25256I

Block Diagram

High voltage generator

Memory array

Y-select & Sense amp.

Serial-parallel converter

HOLD

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Supply voltage relative to V_SS

Input voltage relative to V_SS

Operating temperature range*¹

Storage temperature range

Symbol

V_CC

Value

Unit

−0.6 to + 7.0

−0.5*²to +7.0*³

−40 to +85

V_IN

Topr

Tstg

°C

−65 to +125

Notes: 1. Including electrical characteristics and data retention.

2. V_IN(min): −3.0 V for pulse width ≤ 50 ns.

3. Should not exceed V_CC+ 1.0 V.

DC Operating Conditions

Parameter

Supply voltage

Symbol

V_CC

Min

1.8

Typ



Max

5.5

Unit

V_SS

Input voltage

V_IH

V_CC× 0.7

−0.3*¹

−40



V_CC+ 0.5*²

V_CC× 0.3

+85

V_IL

Operating temperature range

Topr

°C

Notes: 1. V_IN(min): −1.0 V for pulse width ≤ 50 ns.

2. V_IN(max): V_CC+ 1.0 V for pulse width ≤ 50 ns.

Rev.3.00, Jul.06.2005, page 3 of 20

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