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HN58V65AT-10

更新时间： 2024-01-03 22:26:07

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日立 - HITACHI		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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27页	127K
描述
64 k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A)

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HN58V65AT-10 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP1, TSSOP28,.53,22	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	100 ns
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	长度：	11.8 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-20 °C
组织：	8KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP28,.53,22
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小：	64 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/5 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.025 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.6 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.55 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
宽度：	8 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

HN58V65AT-10 数据手册

HN58V65A Series, HN58V66A Series

Pin Description

Pin name

A0 to A12

I/O0 to I/O7

Function

Address input

Data input/output

Output enable

Chip enable

Write enable

Power supply

Ground

V_CC

V_SS

RDY/Busy

RES*¹

Ready busy

Reset

No connection

Notes: 1. This function is supported by only the HN58V66A series.

Block Diagram

Notes: This function is supported by only the HN58V66A series.

I/O0

I/O7

RDY/Busy

V_CC

High voltage generator

V_SS

RES

I/O buffer

and

input latch

Control logic and timing

RES

Y gating

Y decoder

X decoder

Address

buffer and

latch

Memory array

Data latch

A12

1 2 345 6 7...27

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