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HN58V65AT-10SR

更新时间： 2024-11-26 22:17:47

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瑞萨 - RENESAS		存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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描述
64k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A) Wide Temperature Range version

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HN58V65AT-10SR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	PLASTIC, TSOP-28
针数：	28	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	100 ns	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
长度：	11.8 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-20 °C
组织：	8KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP28,.53,22
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小：	64 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3/5 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.025 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.6 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.55 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
宽度：	8 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

HN58V65AT-10SR 数据手册

HN58V65AI Series

HN58V66AI Series

HN58V65A-SR Series

HN58V66A-SR Series

64k EEPROM (8-kword × 8-bit)

Ready/Busy function, RES function (HN58V66A)

Wide Temperature Range version

REJ03C0153-0300Z

(Previous ADE-203-759B(Z) Rev.2.0)

Rev. 3.00

Feb.02.2004

Description

Renesas Technology’s HN58V65A series and HN58V66A series are electrically erasable and

programmable EEPROM’s organized as 8192-word × 8-bit. They have realized high speed, low power

consumption and high reliability by employing advanced MNOS memory technology and CMOS process

and circuitry technology. They also have a 64-byte page programming function to make their write

operations faster.

Features

•

Single supply: 2.7 to 5.5 V

Access time:



100 ns (max) at 2.7 V ≤ V_CC< 4.5 V

70 ns (max) at 4.5 V ≤ V_CC≤ 5.5 V

•

Power dissipation:

 Active: 20 mW/MHz (typ)

 Standby: 110 µW (max)

•

On-chip latches: address, data, CE, OE, WE

Automatic byte write: 10 ms (max)

Automatic page write (64 bytes): 10 ms (max)

Ready/Busy

Data polling and Toggle bit

Data protection circuit on power on/off

Rev.3.00, Feb.02.2004, page 1 of 26

12 3 4 5 6 7...28

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HN58V65AT-10SRE	RENESAS	获取价格	64k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A) Wide Temperature
HN58V65ATI-10	RENESAS	获取价格	64k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A) Wide Temperature
HN58V65ATI-10	HITACHI	获取价格	EEPROM, 8KX8, 100ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP-28
HN58V65ATI-10E	RENESAS	获取价格	64k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A) Wide Temperature
HN58V66A	RENESAS	获取价格	64 k EEPROM (8-kword × 8-bit) Ready/Busy Func
HN58V66AFP-10	RENESAS	获取价格	64 k EEPROM (8-kword × 8-bit) Ready/Busy Func
HN58V66AFP-10	HITACHI	获取价格	64 k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A)
HN58V66AFP-10E	RENESAS	获取价格	64 k EEPROM (8-kword × 8-bit) Ready/Busy Func
HN58V66AFPI-10	RENESAS	获取价格	64k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A) Wide Temperature
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