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HN58C256AFP-10E

更新时间： 2024-02-04 23:11:42

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瑞萨 - RENESAS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
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25页	241K
描述
32KX8 EEPROM 5V, 100ns, PDSO28, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-28

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HN58C256AFP-10E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP28,.45	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.74
最长访问时间：	100 ns	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	耐久性：	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	长度：	18.3 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP28,.45	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	页面大小：	64 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.5 mm
最大待机电流：	0.00002 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.03 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	YES
宽度：	8.4 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms
Base Number Matches：	1

HN58C256AFP-10E 数据手册

HN58C256A Series

HN58C257A Series

256k EEPROM (32-kword × 8-bit)

Ready/Busy and RES function (HN58C257A)

REJ03C0148-0500Z

(Previous ADE-203-410D (Z) Rev. 4.0)

Rev. 5.00

Nov. 17. 2003

Description

Renesas Technology's HN58C256A and HN58C257A are electrically erasable and programmable ROMs

organized as 32768-word × 8-bit. They have realized high speed low power consumption and high reliability

by employing advanced MNOS memory technology and CMOS process and circuitry technology. They also

have a 64-byte page programming function to make their write operations faster.

Features

•

Single 5 V supply: 5 V ±10%

Access time: 85 ns/100 ns (max)

Power dissipation

Active: 20 mW/MHz, (typ)

Standby: 110 µW (max)

•

On-chip latches: address, data, CE, OE, WE

Automatic byte write: 10 ms max

Automatic page write (64 bytes): 10 ms max

Ready/Busy (only the HN58C257A series)

Data polling and Toggle bit

Data protection circuit on power on/off

Conforms to JEDEC byte-wide standard

Reliable CMOS with MNOS cell technology

10⁵erase/write cycles (in page mode)

10 years data retention

Software data protection

Write protection by RES pin (only the HN58C257A series)

Industrial versions (Temperatur range: −20 to 85°C and – 40 to 85°C) are also available.

There are also lead free products.

Rev.5.00, Nov. 17.2003, page 1 of 23

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与HN58C256AFP-10E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HN58C256AFP-85	HITACHI	256k EEPROM (32-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58C257A)	获取价格
HN58C256AFP-85	RENESAS	32KX8 EEPROM 5V, 85ns, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOP-28	获取价格
HN58C256AFP-85E	RENESAS	32KX8 EEPROM 5V, 85ns, PDSO28, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-28	获取价格
HN58C256AFPI-10	ETC	x8 EEPROM	获取价格
HN58C256AFPI-10E	RENESAS	IC,EEPROM,32KX8,CMOS,SOP,28PIN,PLASTIC	获取价格
HN58C256AFPI10EZ	RENESAS	IC,EEPROM,32KX8,CMOS,SOP,28PIN,PLASTIC	获取价格

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