是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SOP, SOP28,.4 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.83 |
最长访问时间: | 100 ns | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | 耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM CARD |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP28,.4 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 页面大小: | 64 words |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 编程电压: | 2.7 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.00002 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.03 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 切换位: | YES |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HN58C256AFPI10EZ | RENESAS |
获取价格 |
IC,EEPROM,32KX8,CMOS,SOP,28PIN,PLASTIC | |
HN58C256AFPI-85 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM | |
HN58C256AI | RENESAS |
获取价格 |
256k EEPROM (32-kword à 8-bit) | |
HN58C256AISERIES | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM | |
HN58C256AP10 | ETC |
获取价格 |
IC-256K CMOS EEPROM | |
HN58C256AP-10 | HITACHI |
获取价格 |
256k EEPROM (32-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58C257A) | |
HN58C256AP-10 | RENESAS |
获取价格 |
32KX8 EEPROM 5V, 100ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
HN58C256AP-10E | RENESAS |
获取价格 |
32KX8 EEPROM 5V, 100ns, PDIP28, 0.600 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-28 | |
HN58C256AP-85 | HITACHI |
获取价格 |
256k EEPROM (32-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58C257A) | |
HN58C256AP-85E | RENESAS |
获取价格 |
32KX8 EEPROM 5V, 85ns, PDIP28, 0.600 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-28 |