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HMU65756K-9

更新时间: 2024-02-28 07:29:59
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 103K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28,

HMU65756K-9 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:35 nsJESD-30 代码:R-PDSO-J28
长度:17.9 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.3 mm标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:7.495 mm

HMU65756K-9 数据手册

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HM 65756  
MATRA MHS  
Read Cycle Specification : Automotive, Commercial, Industrial and Military  
65756  
H–5–9/  
–2/–A  
65756  
65756  
65756  
E–5  
65756  
F–5/–9  
SYMBOL  
PARAMETER  
K–5/–9 M–5/–9 UNIT VALUE  
–2/–A  
35  
35  
3
–2/–A  
45  
45  
3
TAVAV  
Read cycle time  
15  
15  
3
20  
20  
3
25  
25  
3
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
min  
max  
min  
max  
min  
max  
min  
max  
max  
min  
max  
TAVQV  
Address access time  
Address valid to low Z  
Chip–select access time  
CS low to low Z  
TAVQX (10)  
TELQV  
15  
3
20  
3
25  
3
35  
3
45  
3
TELQX (10)  
TEHQZ (10)  
TELIC  
CS high to high Z  
7
10  
0
13  
0
15  
0
20  
0
CS low to power up  
CS high to power down  
Output Enable access time  
OE low to low Z  
0
TEHICL  
15  
7
20  
10  
0
20  
15  
3
20  
20  
3
25  
20  
3
TGLQV  
TGLQX (10)  
TGHQZ (10)  
0
OE high to high Z  
7
10  
13  
15  
20  
Note : 10. Specified with CL = 5 pF (see figure 1b).  
Read Cycle 1 (note 11, 12, 13)  
Read Cycle 2 (note 11, 13)  
Notes : 11. W is high for read cycle.  
12. Device is continuously selected, CS = VIL, OE = VIL.  
13. Address valid prior or coincident with CS transition low.  
6
Rev. C (11/04/95)  

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