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HMU65756K-9 PDF预览

HMU65756K-9

更新时间： 2024-02-03 14:54:40
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 103K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28,

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HMU65756K-9 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：SOJ,针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：35 nsJESD-30 代码：R-PDSO-J28
长度：17.9 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.3 mm标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：7.495 mm

HMU65756K-9 数据手册

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MATRA MHS  
HM 65756  
DC Parameters  
PARAMETER  
DESCRIPTION  
MINIMUM  
TYPICAL  
MAXIMUM  
UNIT  
µA  
µA  
mA  
V
IIX  
IOZ  
(2)  
Input leakage current  
– 10.0  
– 10.0  
–
–
–
–
–
–
10.0  
10.0  
– 300.0  
0.4  
(2)  
Output leakage current  
Output short circuit current  
Output low voltage  
IOS  
(3)  
(4)  
(5)  
VOL  
VOH  
Note :  
–
Output high voltage  
2.4  
–
V
2. Gnd < Vin < Vcc, Gnd < Vout < Vcc Output disabled.  
3. Vcc = max, Vout = Gnd, duration of the short circuit should not exceed 30 seconds.  
Not more than 1 output should be shorted at one time.  
4. Vcc min, IOL = 8.0 mA.  
5. Vcc min, IOH = –4.0 mA.  
Consumption for Commercial (–5) Specification  
65756  
E–5  
65756  
F–5  
65756  
H–5  
65756  
K–5  
65756  
M–5  
SYMBOL  
PARAMETER  
UNIT  
VALUE  
ICCSB  
ICCSB1  
ICCOP  
(6)  
Standby supply current  
Standby supply current  
Dynamic operating current  
30  
10  
40  
20  
35  
20  
35  
20  
35  
mA  
mA  
mA  
max  
max  
max  
(7)  
(8)  
20  
155  
160  
160  
150  
150  
Consumption for Automotive (–A), Industrial (–9) and Military (–2) Specification  
65756  
H–9/–2  
/–A  
65756  
K–9/–2  
/–A  
65756  
M–9/–2  
/–A  
65756  
F–9  
SYMBOL  
PARAMETER  
UNIT  
VALUE  
ICCSB  
(6)  
(7)  
(8)  
Standby supply current  
Standby supply current  
Dynamic operating current  
40  
20  
35  
20  
35  
20  
35  
20  
mA  
mA  
mA  
max  
max  
max  
ICCSB1  
ICCOP  
170  
170  
160  
160  
Note :  
6. CS ≥ VIH, a pull-up resistor to Vcc on the CS is required to keep the device unselected during the Vcc power-up. Otherwise  
IccSB will exceed the above values. Min duty cycle = 100 %.  
7. CS ≥ V – 0.3 V, V – 0.3 V or V ≤ 0.3 V.  
CC  
IN  
IN  
8.  
V
max, Output current = 0 mA, f = max, Vin = Vcc or Gnd.  
CC  
Capacitance  
PARAMETER  
DESCRIPTION  
MINIMUM  
TYPICAL  
MAXIMUM  
UNIT  
pF  
Cin  
(1)  
Input capacitance  
Output capacitance  
–
–
–
–
5
7
Cout  
(1)  
pF  
Note :  
1. TA = 25°C, f = 1 MHz, Vcc = 5.0 V, these parameters are not tested.  
Rev. C (11/04/95)  
3
1234567

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