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HMU65756N-9:RD

更新时间: 2024-09-25 07:57:39
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
2页 80K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28,

HMU65756N-9:RD 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最长访问时间:55 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G28内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL

HMU65756N-9:RD 数据手册

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