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HMU-65756N-5

更新时间: 2024-02-09 03:36:05
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
8页 383K
描述
x8 SRAM

HMU-65756N-5 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.78
Is Samacsys:N最长访问时间:55 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J28
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ28,.34封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V最大待机电流:0.02 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.11 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HMU-65756N-5 数据手册

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