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HMU-65664AG-5:RD

更新时间: 2024-11-12 14:42:39
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 486K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDSO28,

HMU-65664AG-5:RD 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.67最长访问时间:35 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G28内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:8KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

HMU-65664AG-5:RD 数据手册

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