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HMU-65664AQ-9:RD

更新时间: 2024-09-23 14:42:39
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 486K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDSO28,

HMU-65664AQ-9:RD 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.67Is Samacsys:N
最长访问时间:35 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G28
内存密度:65536 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:8KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最小待机电流:2 V
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HMU-65664AQ-9:RD 数据手册

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