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Datasheet > 射频和微波 > 射频/微波开关> HMC784MS8GE
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HMC784MS8GE

更新时间： 2024-11-24 05:36:15
品牌 Logo 应用领域
HITTITE 射频和微波开关射频开关微波开关
页数 文件大小 规格书
8页 249K
描述
GaAs MMIC 10 WATT T/R SWITCH DC - 4 GHz

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HMC784MS8GE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：TSSOP8,.19
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：7.65
Is Samacsys：N1dB压缩点：35 dBm
其他特性：CMOS/TTL COMPATIBLE特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT最大输入功率 (CW)：39 dBm
最大插入损耗：2 dB最小隔离度：26 dB
JESD-609代码：e3安装特点：SURFACE MOUNT
功能数量：1端子数量：8
准时：0.04 µs最大工作频率：4000 MHz
最小工作频率：最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：TSSOP8,.19电源：5 V
射频/微波设备类型：DIVERSITY SWITCH子类别：RF/Microwave Switches
表面贴装：YES技术：GAAS
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

HMC784MS8GE 数据手册

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HMC784MS8GE  
v00.0808  
GaAs MMIC 10 WATT T/R SWITCH  
DC - 4 GHz  
Typical Applications  
Features  
The HMC784MS8GE is ideal for:  
• Cellular / 4G Infrastructure  
• WiMAX, WiBro & Fixed Wireless  
• Automotive Telematics  
• Mobile Radio  
Input P1dB: +40 dBm @ Vdd = +8V  
High Third Order Intercept: +62 dBm  
Positive Control: +3 to +8 V  
Low Insertion Loss: 0.4 dB  
MSOP8G Package: 14.8 mm2  
• Test Equipment  
General Description  
Functional Diagram  
The HMC784MS8GE is a high power SPDT switch in  
an 8-lead MSOPG package for use in transmit-rece-  
ive applications which require very low distortion at  
high input signal power levels. The device can con-  
trol signals from DC to 4 GHz. The design provides  
exceptional intermodulation performance; > +60 dBm  
third order intercept at +5V bias. RF1 and RF2 are  
reflective shorts when “OFF”. On-chip circuitry allows  
single positive supply operation from +3 Vdc to +8 Vdc  
at very low DC current with control inputs compatible  
with CMOS and most TTL logic families.  
11  
Electrical Specifications,  
TA = +25° C, Vctl = 0/Vdd, Vdd = +5V (Unless Otherwise Stated), 50 Ohm System  
Parameter  
Frequency  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
DC - 1.0 GHz  
DC - 2.0 GHz  
DC - 2.5 GHz  
DC - 3.0 GHz  
DC - 4.0 GHz  
0.4  
0.6  
0.8  
0.9  
1.3  
0.6  
0.8  
1.1  
1.3  
2.0  
dB  
dB  
dB  
dB  
dB  
Insertion Loss  
Isolation  
DC - 4.0 GHz  
26  
30  
dB  
DC - 1.0 GHz  
DC - 2.0 GHz  
DC - 3.0 GHz  
DC - 4.0 GHz  
35  
30  
20  
10  
dB  
dB  
dB  
dB  
Return Loss (On State)  
Vdd = +3V  
Vdd = +5V  
Vdd = +8V  
32  
37  
38  
dBm  
dBm  
dBm  
Input Power for 0.1dB Compression  
Input Power for 1dB Compression  
Input Third Order Intercept  
0.1 - 4.0 GHz  
0.1 - 4.0 GHz  
Vdd = +3V  
Vdd = +5V  
Vdd = +8V  
32  
35  
38  
35  
38  
41  
dBm  
dBm  
dBm  
0.02 - 0.1 GHz  
0.1 - 2.0 GHz  
0.1 - 3.0 GHz  
0.1 - 4.0 GHz  
42  
62  
61  
60  
dBm  
dBm  
dBm  
dBm  
(Two-tone input power = +30 dBm each tone)  
Switching Characteristics  
tRISE, tFALL (10/90% RF)  
tON, tOFF (50% CTL to 10/90% RF)  
15  
40  
ns  
ns  
DC - 4.0 GHz  
For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:  
20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373  
Order On-line at www.hittite.com  
11 - 224  
12345678

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HMC784MS8GE 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
HMC784MS8GETR HITTITE

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