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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | DIE OR CHIP |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.B.2.D |
| 风险等级： | 5.67 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 特性阻抗： | 50 Ω |
| 构造： | COMPONENT | 增益： | 11 dB |
| 最大输入功率 (CW)： | 8 dBm | JESD-609代码： | e4 |
| 功能数量： | 1 | 最大工作频率： | 32000 MHz |
| 最小工作频率： | 18000 MHz | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装等效代码： | DIE OR CHIP |
| 电源： | 3 V | 射频/微波设备类型： | WIDE BAND LOW POWER |
| 子类别： | RF/Microwave Amplifiers | 最大压摆率： | 65 mA |
| 技术： | GAAS | 端子面层： | Gold (Au) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HMC519_09 | HITTITE | GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 18 - 32 GHz |
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| HMC519-Die | ADI | GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器芯片，18 - 32 GHz |
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| HMC519LC4 | HITTITE | GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 18 - 31 GHz |
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| HMC519LC4 | ADI | HMC519LC4 |
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| HMC519LC4TR | HITTITE | 暂无描述 |
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| HMC519LC4TR | ADI | HMC519LC4TR |
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