HMC519

更新时间： 2024-02-05 13:45:53

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HITTITE		射频和微波射频放大器微波放大器
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6页	337K
描述
GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 18 - 32 GHz

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HMC519 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	DIE OR CHIP
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.B.2.D
风险等级：	5.67	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	11 dB
最大输入功率 (CW)：	8 dBm	JESD-609代码：	e4
功能数量：	1	最大工作频率：	32000 MHz
最小工作频率：	18000 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装等效代码：	DIE OR CHIP
电源：	3 V	射频/微波设备类型：	WIDE BAND LOW POWER
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	65 mA
技术：	GAAS	端子面层：	Gold (Au)
Base Number Matches：	1

HMC519 数据手册

HMC519

v00.0904

GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE

AMPLIFIER, 18 - 32 GHz

P1dB vs. Temperature

Psat vs. Temperature

+25C

+85C

-55C

+25C

+85C

-55C

FREQUENCY (GHz)

Reverse Isolation vs. Temperature

Power Compression @ 24 GHz

-10

+25C

+85C

-55C

-20

-30

-40

-50

-60

-70

-80

Pout

Gain

PAE

-20 -18 -16 -14 -12 -10 -8 -6 -4 -2

INPUT POWER (dBm)

FREQUENCY (GHz)

Gain, Noise Figure & Power vs.

Supply Voltage @ 24 GHz

Gain

P1dB

Noise Figure

2.5

3.5

Vdd (Vdc)

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

20 Alpha Road, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

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