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HMC414MS8G

更新时间： 2024-02-20 14:38:07

品牌	Logo	应用领域
HITTITE		放大器射频微波功率放大器
页数	文件大小	规格书
8页	364K
描述
GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 2.2 - 2.8 GHz

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HMC414MS8G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMT, 8 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	Is Samacsys：	N
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
增益：	17 dB	最大输入功率 (CW)：	17 dBm
JESD-609代码：	e3	最大工作频率：	2800 MHz
最小工作频率：	2200 MHz	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	射频/微波设备类型：	NARROW BAND MEDIUM POWER
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

HMC414MS8G 数据手册

HMC414MS8G

v02.1202

MICROWAVE CORPORATION

GaAs InGaP HBT MMIC

POWER AMPLIFIER, 2.2 - 2.8 GHz

Absolute Maximum Ratings

Collector Bias Voltage (Vcc)

+5.5 Vdc

Control Voltage (Vpd1, Vpd2)

+4.0 Vdc

RF Input Power (RFin)(Vs = +5.0,

Vpd = +3.6 Vdc)

+20 dBm

150 °C

Junction Temperature

Continuous Pdiss (T = 85 °C)

(derate 27 mW/°C above 85 °C)

1.755 W

Thermal Resistance

(junction to ground paddle)

37 °C/W

Storage Temperature

Operating Temperature

-65 to +150 °C

-40 to +85 °C

Outline Drawing

NOTES:

1. PACKAGE BODY MATERIAL: LOW STRESS INJECTION MOLDED

PLASTIC SILICA AND SILICON IMPREGNATED.

2. LEADFRAME MATERIAL: COPPER ALLOY

3. LEADFRAME PLATING: Sn/Pb SOLDER

4. DIMENSIONS ARE IN INCHES [MILLIMETERS].

5. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.15mm PER SIDE.

6. DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLDFLASH OF 0.25mm PER SIDE.

7. ALL GROUND LEADS AND GROUND PADDLE MUST BE SOLDERED

TO PCB RF GROUND.

For price, delivery, and to place orders, please contact Hittite Microwave Corporation:

12 Elizabeth Drive, Chelmsford, MA 01824 Phone: 978-250-3343 Fax: 978-250-3373

Order Online at www.hittite.com

8 - 178

1 2 3 456 7 8

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