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HM5-91M2-9

更新时间: 2024-01-05 19:27:35
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 331K
描述
x16 SRAM Module

HM5-91M2-9 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.8最长访问时间:200 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDIP-T48
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:16
端子数量:48字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:64KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DIP
封装等效代码:DIP48,1.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.001 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.06 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HM5-91M2-9 数据手册

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HM5-91M2B-8 RENESAS MEMORY MODULE,SRAM,64KX16,CMOS,DIP,48PIN,CERAMIC

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