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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP48,1.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | 最长访问时间： | 270 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDIP-T48 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 16 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 16 words |
| 字数代码： | 16 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 16X16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP48,1.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.00045 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.03 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HM5-92570-5 | ETC | x16 SRAM Module |
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| HM5-92570-9 | RENESAS | HM5-92570-9 |
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| HM5N50I | HMSEMI | 500V N-Channel MOSFET |
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| HM5N50K | HMSEMI | 500V N-Channel MOSFET |
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| HM60 | RCD | RESISTOR, METAL FILM, 0.25W, 0.01 - 1%, 5; 10; 15; 25; 50ppm, 10ohm - 2000000ohm, THROUGH |
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| HM60030-1CR | COOPER | Class H(K), J and R modular ferrule fuse blocks |
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