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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.78 | 最长访问时间： | 120 ns |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-T28 | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 8KX8 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | NOT SPECIFIED |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM5-8808AB-9 | RENESAS |
获取价格 |
MEMORY MODULE,SRAM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC |
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| HM5-8808AB-9+ | RENESAS |
获取价格 |
MEMORY MODULE,SRAM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC |
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| HM5-8808AS-8 | RENESAS |
获取价格 |
MEMORY MODULE,SRAM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC |
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| HM5-8808B-8 | ROCHESTER |
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8KX8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 120ns, DMA28 |
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| HM5-8808B-9 | RENESAS |
获取价格 |
MEMORY MODULE,SRAM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC |
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| HM5-8808B-9+ | RENESAS |
获取价格 |
MEMORY MODULE,SRAM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC |
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| HM5-8808S-8 | ROCHESTER |
获取价格 |
8KX8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100ns, DMA28 |
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| HM5-8808S-9 | RENESAS |
获取价格 |
MEMORY MODULE,SRAM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC |
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| HM5-8816H-8 | RENESAS |
获取价格 |
MEMORY MODULE,SRAM,16KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC |
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| HM5-8816H-9 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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