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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, DIP28,.6 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 120 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T28 | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 8KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.000125 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.107 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM5-8808B-9+ | RENESAS |
获取价格 |
MEMORY MODULE,SRAM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC |
|
| HM5-8808S-8 | ROCHESTER |
获取价格 |
8KX8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 100ns, DMA28 |
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| HM5-8808S-9 | RENESAS |
获取价格 |
MEMORY MODULE,SRAM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC |
|
| HM5-8816H-8 | RENESAS |
获取价格 |
MEMORY MODULE,SRAM,16KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC |
|
| HM5-8816H-9 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
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| HM5-8816HB-8 | RENESAS |
获取价格 |
MEMORY MODULE,SRAM,16KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC |
|
| HM5-8816HB-9 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM Module |
|
| HM5901 | ETC |
获取价格 |
Analog IC |
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| HM5901A01 | ETC |
获取价格 |
Analog IC |
|
| HM5901A02 | ETC |
获取价格 |
Analog IC |
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