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HM5-8816HB-8

更新时间: 2024-11-15 21:22:27
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 145K
描述
MEMORY MODULE,SRAM,16KX8,CMOS,DIP,28PIN,CERAMIC

HM5-8816HB-8 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.92
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDIP-T28JESD-609代码:e0
内存密度:131072 bit内存集成电路类型:SRAM MODULE
内存宽度:8端子数量:28
字数:16384 words字数代码:16000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:16KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流:0.00032 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.93 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HM5-8816HB-8 数据手册

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