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HM1E-65764FDB

更新时间: 2024-11-08 09:36:31
品牌 Logo 应用领域
TEMIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 250K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, CDIP28,

HM1E-65764FDB 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.69最长访问时间:20 ns
JESD-30 代码:R-CDIP-T28内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:8KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

HM1E-65764FDB 数据手册

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