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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.77 |
| 最长访问时间： | 55 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 8KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.02 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.125 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HM1E-65764N-5+ | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, |
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| HM1E-65764N-5D | TEMIC |
获取价格 |
8KX8 STANDARD SRAM, 55ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 |
|
| HM1E-65764N-8 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HM1E-65764N-9 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM |
|
| HM1E-65764N-9+ | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, |
|
| HM1E-65764N-A | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, |
|
| HM1E-65764N-A:D | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 |
|
| HM1E-65764N-AD | TEMIC |
获取价格 |
8KX8 STANDARD SRAM, 55ns, CDIP28, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-28 |
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| HM1E-65779M-5+ | TEMIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX9, 45ns, CMOS, CDIP28, |
|
| HM1F41FAP000H5 | AMPHENOL |
获取价格 |
Board Connector, 24 Contact(s), 4 Row(s), Female, Right Angle, 0.079 inch Pitch, Solder Te |
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