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HFA08SD60STRLPBF

更新时间： 2024-11-27 12:59:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管超快软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
7页 118K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, SMD-220, DPAK-3

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HFA08SD60STRLPBF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.66Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.7 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：60 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.055 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

HFA08SD60STRLPBF 数据手册

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HFA08SD60SPbF  
Vishay High Power Products  
HEXFRED®  
Ultrafast Soft Recovery Diode, 8 A  
FEATURES  
• Ultrafast recovery time  
• Ultrasoft recovery  
• Very low IRRM  
Available  
2
RoHS*  
COMPLIANT  
• Very low Qrr  
• Guaranteed avalanche  
• Specified at operating conditions  
• Lead (Pb)-free  
1
3
D-PAK  
N/C  
Anode  
• Designed and qualified for Q101 level  
BENEFITS  
• Reduced RFI and EMI  
• Reduced power loss in diode and switching transistor  
• Higher frequency operation  
• Reduced snubbing  
PRODUCT SUMMARY  
VR  
600 V  
1.7 V  
8 A  
• Reduced parts count  
VF at 8 A at 25 °C  
IF(AV)  
DESCRIPTION  
These diodes are optimized to reduce losses and EMI/RFI in  
high frequency power conditioning systems. The softness of  
the recovery eliminates the need for a snubber in most  
applications. These devices are ideally suited for  
freewheeling, flyback, power converters, motor drives, and  
other applications where high speed and reduced switching  
losses are design requirements.  
trr (typical)  
18 ns  
150 °C  
TJ (maximum)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
IF  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Cathode to anode voltage  
600  
V
Maximum continuous forward current  
Single pulse forward current  
TC = 100 °C  
8
IFSM  
60  
A
Peak repetitive forward current  
Maximum power dissipation  
IFRM  
24  
14  
PD  
TC = 100 °C  
W
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TStg  
- 55 to + 150  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 µA  
600  
-
-
IF = 8 A  
-
-
-
-
-
-
-
1.4  
1.7  
1.4  
0.3  
100  
10  
1.7  
2.1  
1.7  
5.0  
500  
25  
V
Forward voltage  
VF  
IF = 16 A  
See fig. 1  
IF = 8 A, TJ = 125 °C  
VR = VR rated  
Maximum reverse  
leakage current  
IR  
µA  
TJ = 125 °C, VR = 0.8 x VR rated  
VR = 200 V  
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
See fig. 3  
pF  
nH  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
8.0  
-
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 94042  
Revision: 29-Jul-08  
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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与HFA08SD60STRLPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HFA08SD60STR-M3 VISHAY

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 		HEXFRED Ultrafast Soft Recovery Diode, 8 A
HFA08SD60STRPBF VISHAY

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 		HEXFRED® Ultrafast Soft Recovery Diode, 8 A
HFA08SD60STRR INFINEON

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, SMD-220, DPAK-3
HFA08SD60STRR VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 600V V(RRM), Silicon, SMD-220, DPAK-3
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HFA08SD60TR VISHAY

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 		Ultrafast Soft Recovery Diode, 8 A
HFA08SD60TRL VISHAY

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 		Ultrafast Soft Recovery Diode, 8 A
HFA08SD60TRLPBF VISHAY

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HFA08SD60TRPBF VISHAY

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 		Ultrafast Soft Recovery Diode, 8 A

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