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HFA08SD60TRLPBF

更新时间： 2024-11-27 05:35:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 整流二极管局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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7页 118K
描述
Ultrafast Soft Recovery Diode, 8 A

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HFA08SD60TRLPBF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMD-220, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.39Is Samacsys：N
应用：ULTRA FAST SOFT RECOVERY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.7 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：60 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：0.055 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

HFA08SD60TRLPBF 数据手册

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HFA08SD60SPbF  
Vishay High Power Products  
HEXFRED®  
Ultrafast Soft Recovery Diode, 8 A  
FEATURES  
• Ultrafast recovery time  
• Ultrasoft recovery  
• Very low IRRM  
Available  
2
RoHS*  
COMPLIANT  
• Very low Qrr  
• Guaranteed avalanche  
• Specified at operating conditions  
• Lead (Pb)-free  
1
3
D-PAK  
N/C  
Anode  
• Designed and qualified for Q101 level  
BENEFITS  
• Reduced RFI and EMI  
• Reduced power loss in diode and switching transistor  
• Higher frequency operation  
• Reduced snubbing  
PRODUCT SUMMARY  
VR  
600 V  
1.7 V  
8 A  
• Reduced parts count  
VF at 8 A at 25 °C  
IF(AV)  
DESCRIPTION  
These diodes are optimized to reduce losses and EMI/RFI in  
high frequency power conditioning systems. The softness of  
the recovery eliminates the need for a snubber in most  
applications. These devices are ideally suited for  
freewheeling, flyback, power converters, motor drives, and  
other applications where high speed and reduced switching  
losses are design requirements.  
trr (typical)  
18 ns  
150 °C  
TJ (maximum)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
IF  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
Cathode to anode voltage  
600  
V
Maximum continuous forward current  
Single pulse forward current  
TC = 100 °C  
8
IFSM  
60  
A
Peak repetitive forward current  
Maximum power dissipation  
IFRM  
24  
14  
PD  
TC = 100 °C  
W
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TStg  
- 55 to + 150  
°C  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNITS  
Breakdown voltage,  
blocking voltage  
VBR  
VR  
,
IR = 100 µA  
600  
-
-
IF = 8 A  
-
-
-
-
-
-
-
1.4  
1.7  
1.4  
0.3  
100  
10  
1.7  
2.1  
1.7  
5.0  
500  
25  
V
Forward voltage  
VF  
IF = 16 A  
See fig. 1  
IF = 8 A, TJ = 125 °C  
VR = VR rated  
Maximum reverse  
leakage current  
IR  
µA  
TJ = 125 °C, VR = 0.8 x VR rated  
VR = 200 V  
Junction capacitance  
Series inductance  
CT  
LS  
See fig. 3  
pF  
nH  
Measured lead to lead 5 mm from package body  
8.0  
-
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 94042  
Revision: 29-Jul-08  
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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