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HF51A060ACEPBF

更新时间： 2024-10-28 14:50:51

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英飞凌 - INFINEON		二极管
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1页	103K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, Silicon, 5 INCH, WAFER

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HF51A060ACEPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	O-XUUC-N	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.10.00.40	风险等级：	5.72
应用：	GENERAL PURPOSE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-XUUC-N	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	UNCASED CHIP	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

HF51A060ACEPBF 数据手册

Preliminary Data Sheet PD-20610 11/98

HF51A060ACE

Hexfred Die in Wafer Form

600 V

Size 51

5" Wafer

Electrical Characteristics ( Wafer Form )

Parameter

Description

Guaranteed (Min/Max)

Test Conditions

T_J= 25°C, I_F= 10.0A

V_FM

Forward Voltage

1.2V Max.

600V Min.

25µA Max.

BV_R

Reverse Breakdown Voltage

Reverse Leakage Current

T_J= 25°C, I_R= 200µA

T_J= 25°C, V_R= 600V

I_RM

Mechanical Data

Nominal Back Metal Composition, Thickness

Nominal Front Metal Composition, Thickness

Chip Dimensions

Cr-Ni-Ag ( 1kA-4kA-6kA )

99% Al, 1% Si (3 microns)

0.340" x 0.195"

Wafer Diameter

125mm, with std. < 100 > flat

.015" ± .003"

Wafer Thickness

Relevant Die Mechanical Dwg. Number

MinimumStreetWidth

01-5312

100 Microns

Reject Ink Dot Size

0.25mmDiameterMinimum

Store in original container, in dessicated

nitrogen, with no contamination

Recommended Storage Environment

Reference Standard IR packaged part ( for design ) : IRG4PSC71KD

Die Outline

NOTES:

1. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS ( INCHES )

2. CONTROLLING DIMENSION : ( INCH )

3. DIMENSIONALTOLERANCES:

BONDING PADS : <0.635TOLERANCE=± 0.013

WIDTH

<(.0250)TOLERANCE=± (.0005)

>0.635TOLERANCE=± 0.025

>(.0250)TOLERANCE=± (.0010)

< 1.270TOLRANCE=± 0.102

< (.050) TOLERANCE = ± (.004)

>1.270 TOLERANCE=± 0.203

> (.050) TOLERANCE = ± (.008)

LENGTH

OVERALLDIE

WIDTH

LENGTH

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