Datasheet > HF50E060ACE

HF50E060ACE

更新时间： 2024-11-29 20:08:11

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		软恢复二极管
页数	文件大小	规格书
3页	74K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 600V V(RRM), Silicon, DIE-2

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HF50E060ACE 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	DIE	包装说明：	DIE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.40
风险等级：	5.84	应用：	SOFT RECOVERY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.33 V
JESD-30 代码：	S-XUUC-N2	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	50 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	SQUARE	封装形式：	UNCASED CHIP
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	600 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UPPER
Base Number Matches：	1

HF50E060ACE 数据手册

PD - 94720

HF50E060ACE

Hexfred Die in Wafer Form

600V

Features

GEN3 Hexfred Technology

Low V_F

Low I_RR

Low t_RR

_F(nom)=50A

_F(typ)= 1.5V @ I_F(nom)@ 25°C

Soft Reverse Recovery

Power Supply Antiparallel Diode

125mm Wafer

Benefits

Benchmark Efficiency for UPS and Welding

Applications

Rugged Transient Performance

Low EMI

Excellent Current Sharing in Parallel Operation

Qualified for Industrial Market

Electrical Characteristics (Wafer Form)

Parameter

Description

Guaranteed (min, max)

TestConditions

V_F

Forward Voltage Drop

0.94V min, 1.33V max I_C= 10A, T_J= 25°C

BV_R

I_RM

Reverse Breakdown Voltage

Reverse Leakage Current

600V min

20µA max

T_J= 25°C, I_R= 1mA

T_J= 25°C, V_R= 600V

Mechanical Data

Nominal Backmetal Composition, (Thickness)

Nominal Front Metal Composition, (Thickness)

Dimensions

Cr- Ni - Ag, (1kA - 4kA - 6kA)

99% Al/1% Si, (3µm)

0.170'' x 0.170"

Wafer Diameter

125mm, with std. < 100 > flat

381µm, +/-15µm

Wafer Thickness, Tolerance

Relevant Die Mechanical Dwg. Number

Minimum Street Width

01 - 5645

100µm

Reject Ink Dot Size

0.25mm diameter minimum

Consistent throughout same wafer lot

Store in original container, in dessicated

nitrogen, with no contamination

For optimum electrical results, die attach

temperature should not exceed 300°C

Ink Dot Location

Recommended Storage Environment

Recommended Die Attach Conditions

Die Outline

07/01/03

Document Number: 93810

www.vishay.com

12 3

中文翻译

下载PDF

与HF50E060ACE相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HF5-12F	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
HF5-12F_1	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
HF5-12S	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
HF51A060ACE	INTERFET	获取价格	Hexfred Die in Wafer Form
HF51A060ACEPBF	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, Silicon, 5 INCH, WAFER
HF51C120ACE	ETC	获取价格
HF538902N	HOPERF	获取价格	SAW FILTER
HF538902NSIP5D	HOPERF	获取价格	SAW FILTER
HF539/14	3M	获取价格	WIRE AND CABLE
HF539/40	3M	获取价格	WIRE AND CABLE