HF150-50S

更新时间： 2024-11-10 22:33:23

品牌	Logo	应用领域
ASI		晶体射频双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
1页	19K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HF150-50S 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.06
Is Samacsys：	N	外壳连接：	EMITTER
最大集电极电流 (IC)：	10 A	基于收集器的最大容量：	220 pF
集电极-发射极最大电压：	55 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	18	最高频带：	HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRPM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	233 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

HF150-50S 数据手册

HF150-50S

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .500 4L STUD (A)

The ASI HF150-50S is Designed for

.112 x 45°

FEATURES:

Ø .630 NOM

· P_G= 14 dB min. at 150 W/30 MHz

· IMD₃= 100 dBc max. at 150 W(PEP)

· Omnigold™ Metalization System

1/4-28 UNF-2A

MAXIMUM RATINGS

I_C

10 A

110 V

V_CBO

V_EBO

V_CEO

P_DISS

T_J

MINIMUM

MAXIMUM

inches / mm

DIM

4.0 V

inches

.220 / 5.59

.230 / 5.84

55 V

1.050 / 26.67

.555 / 14.10

.505 / 12.83

.007 / 0.18

.830 / 21.08

.198 / 5.03

.530 / 13.46

.545 / 13.84

.495 / 12.57

.003 / 0.08

233 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

0.75 ^OC/W

.185 / 4.70

.497 / 12.62

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10613

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CBO

BV_CES

BV_CEO

BV_EBO

I_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 100 mA

I_E= 10 mA

V_CE= 30 V

V_E= 60 V

110

4.0

---

I_CES

h_FE

V_CE= 6 V

I_C= 1.4 A

43.5

C_ob

V_CB= 50 V

f = 1.0 MHz

220

G_P

V_CE= 50 V

I_CQ=100 mA

P_OUT= 150 W(PEP)

IMD₃

h _C

-30

dBc

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

中文翻译

下载PDF

HF150-50S 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BLX15	ASI	功能相似	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
SD1727	STMICROELECTRONICS	功能相似	RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS
MS1008	MICROSEMI	功能相似	10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

与HF150-50S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HF150-50S_07	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
HF15-212ETZ	AVAGO	获取价格	The Versatile Fiber Optic Connection
HF15-2151ETZ	AVAGO	获取价格	The Versatile Fiber Optic Connection
HF15-216ETZ	AVAGO	获取价格	The Versatile Fiber Optic Connection
HF15-217ETZ	AVAGO	获取价格	The Versatile Fiber Optic Connection
HF15-222ETZ	AVAGO	获取价格	The Versatile Fiber Optic Connection
HF15-2251ETZ	AVAGO	获取价格	The Versatile Fiber Optic Connection
HF15-226ETZ	AVAGO	获取价格	The Versatile Fiber Optic Connection
HF15-227ETZ	AVAGO	获取价格	The Versatile Fiber Optic Connection
HF15-28F	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

与HF150-50S相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

7
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

8
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HF150-50S

HF150-50S 技术参数

HF150-50S 数据手册

HF150-50S 替代型号

与HF150-50S相关器件

与HF150-50S相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HF150-50S

HF150-50S 技术参数

HF150-50S 数据手册

HF150-50S 替代型号

与HF150-50S相关器件

与HF150-50S相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？