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HF15-28S

更新时间： 2024-11-10 22:33:23

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	20K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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HF15-28S 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-XRPM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	4 A
基于收集器的最大容量：	50 pF	集电极-发射极最大电压：	35 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-XRPM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz

HF15-28S 数据手册

HF15-28S

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .380 4L STUD

The ASI HF15-28S is Designed for

.112x45°

FEATURES:

ØC

· Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

#8-32 UNC-2A

I_C

4.0 A

65 V

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

MINIMUM

MAXIMUM

DIM

inches / mm

35 V

.220 / 5.59

.980 / 24.89

.370 / 9.40

.004 / 0.10

.320 / 8.13

.100 / 2.54

.450 / 11.43

.090 / 2.29

.155 / 3.94

.230 / 5.84

.385 / 9.78

.007 / 0.18

.330 / 8.38

.130 / 3.30

.490 / 12.45

.100 / 2.54

.175 / 4.45

.750 / 19.05

4.0 V

40 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

4.4 ^OC/W

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10603

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CEO

BV_CES

BV_EBO

I_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 200 mA

I_E= 10 mA

V_CB= 30 V

V_CE= 5.0 V

4.0

2.0

---

h_FE

I_C= 200 mA

5.0

C_OB

V_CB= 30 V

f = 1.0 MHz

---

G_P

f_T

V_CE= 28 V

V_CE= 10 V

f = 150 MHz

f = 100 MHz

250

MHz

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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