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HER505G PDF预览

HER505G

更新时间： 2024-11-05 10:45:35
品牌 Logo 应用领域
SECOS 整流二极管高效整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 256K
描述
Glass Passivated High Efficiency Rectifiers

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HER505G 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.32
其他特性：HIGH RELIABILITY应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.85 VJEDEC-95代码：DO-27
JESD-30 代码：O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向电流：10 µA最大反向恢复时间：0.07 µs
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

HER505G 数据手册

 浏览型号HER505G的Datasheet PDF文件第2页 
HER501G ~ HER507G  
VOLTAGE 50 ~ 1000 V, 5.0AMP  
Glass Passivated High Efficiency Rectifiers  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
DO-27  
FEATURES  
C
A
B
A
ꢀ
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
Low forward voltage drop  
High current capability  
High reliability  
High surge current capability  
High speed switching  
D
MECHANICAL DATA  
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
Case: Molded plastic  
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant  
Lead: Axial leads, solderable per MIL-STD-202, Methode 208 guranteed  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting Position: Any  
Millimeter  
Min. Max.  
25.4 (TYP)  
REF.  
A
B
C
D
7.20  
9.50  
5.60  
1.30  
4.80  
1.10  
Weight: 1.10 grams  
MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise specified)  
PART NUMBERS  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
HER  
501G  
50  
HER  
502G  
100  
HER  
503G  
200  
HER  
504G  
400  
HER  
505G  
600  
HER  
506G  
800  
HER  
507G  
1000  
700  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
V
V
V
35  
70  
140  
280  
420  
560  
Maximum DC Blocking Voltage  
50  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
Maximum Average Forward Rectified Current  
9.5mm Lead length at TA=50°C  
IF  
5.0  
A
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half  
sine-wave superimposed on rated load (JEDEC  
methode)  
IFSM  
100  
A
Maximum Instantaneous Forward Voltage @ 5.0A  
VF  
IR  
1.0  
1.3  
10  
1.85  
70  
V
Maximum DC Reverse Current at  
Rated DC Blocking Voltage  
TA=25°C  
µA  
TA=100°C  
200  
Maximum Reverse Recovery Time 1  
Typical Junction Capacitance 2  
Operating & Storage Temperature  
TRR  
CJ  
50  
nS  
pF  
°C  
100  
TJ,TSTG  
-55~150  
Note: 1. Reverse Recovery Time test condition: IF =0.5A, IR=1.0A, IRR =0.25A  
2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
3. Single Phase half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
4. For capacitive load, derate current by 20%.  
09-Dec-2009 Rev. A  
Page 1 of 2  
12

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与HER505G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
HER505GC1 YANGJIE

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD, DO-27, 2 PIN
HER505GP MCC

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 		Tape : 1.2K/Reel, 4.8K/Ctn; Bulk: 500pcs/Box, 12K/Ctn; T/B: 1.2K/Ammo Box, 12K/Ctn.;
HER505GP-BP MCC

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
HER505GPT CHENMKO

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 		HIGH EFFICIENCY RECTIFIER
HER505GP-TP-HF MCC

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
HER505GR SECOS

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 		Voltage 50 ~ 1000 V 5Amp Glass Passivated High Efficiency Rectifiers
HER505H31-1 RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
HER505H32-1 RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
HER505H33 RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD,
HER505H34 RECTRON

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD,

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