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HER108SG

更新时间: 2024-10-29 20:12:59
品牌 Logo 应用领域
SURGE 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 1646K
描述
1A, 1000V, SILICON, SIGNAL DIODE,

HER108SG 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.6
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大重复峰值反向电压:1000 V最大反向恢复时间:0.075 µs
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

HER108SG 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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