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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 580 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T16 |
| 长度： | 21.6 mm | 内存密度： | 256 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 16 | 字数： | 256 words |
| 字数代码： | 256 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256X1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | NO | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.7 mm |
| 最小待机电流： | 3 V | 最大供电电压 (Vsup)： | 15 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HEF4720BT | NXP |
获取价格 |
256-bit, 1-bit per word random access memories |
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| HEF4720BTD | NXP |
获取价格 |
IC 256 X 1 STANDARD SRAM, 580 ns, PDSO16, Static RAM |
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| HEF4720BTD-T | NXP |
获取价格 |
IC 256 X 1 STANDARD SRAM, 580 ns, PDSO16, Static RAM |
|
| HEF4720BT-T | NXP |
获取价格 |
IC 256 X 1 STANDARD SRAM, 580 ns, PDSO16, PLASTIC, SO-16, Static RAM |
|
| HEF4720V | NXP |
获取价格 |
256-bit, 1-bit per word random access memories |
|
| HEF4720VD | NXP |
获取价格 |
256-bit, 1-bit per word random access memories |
|
| HEF4720VDB | NXP |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| HEF4720VDF | NXP |
获取价格 |
IC 256 X 1 STANDARD SRAM, 580 ns, CDIP16, CERDIP-16, Static RAM |
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| HEF4720VF | NXP |
获取价格 |
256-bit, 1-bit per word random access memories |
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| HEF4720VN | NXP |
获取价格 |
256-bit, 1-bit per word random access memories |
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