生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 16 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 580 ns | JESD-30 代码: | R-GDIP-T16 |
内存密度: | 256 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 16 |
字数: | 256 words | 字数代码: | 256 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256X1 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | NO |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最小待机电流: | 3 V |
最大供电电压 (Vsup): | 12.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HEF4720VF | NXP |
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256-bit, 1-bit per word random access memories | |
HEF4720VN | NXP |
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256-bit, 1-bit per word random access memories | |
HEF4720VP | NXP |
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256-bit, 1-bit per word random access memories | |
HEF4720VT | NXP |
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256-bit, 1-bit per word random access memories | |
HEF4720VTD | NXP |
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暂无描述 | |
HEF4720VTD-T | NXP |
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IC 256 X 1 STANDARD SRAM, 580 ns, PDSO16, PLASTIC, SO-16, Static RAM | |
HEF4720VT-T | NXP |
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IC 256 X 1 STANDARD SRAM, 580 ns, PDSO16, PLASTIC, SO-16, Static RAM | |
HEF4724 | NXP |
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8-bit addressable latch | |
HEF4724B | NXP |
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8-bit addressable latch | |
HEF4724BD | NXP |
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8-bit addressable latch |